FDB082N15A
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDB082N15A |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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800+ | $3.1374 |
1600+ | $2.646 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263AB) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 75A, 10V |
Verlustleistung (max) | 294W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6040pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 117A (Tc) |
FDB082N15A Einzelheiten PDF [English] | FDB082N15A PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
FDB082N15ATM FAIRCHILD
FAIRCHILD TO-263
ON TO-263
FDB070AN06AO FAIRCHI
FDB075N15A_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
FDB070AN06_F085 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
2025/01/2
2024/04/14
2024/04/5
2024/10/18
FDB082N15AFairchild/ON Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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